Detalles del producto
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Descripción: El diodo genético puro 100V 200MA DO35
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | estado del producto: | Actividad | Corriente - fuga inversa @ Vr: | 5 μA @ 75 V | Tipo de montaje: | Orificio pasante | Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1 V @ 10 mA | Paquete: | Las demás | Series: | - | Capacidad @ Vr, F: | 2pF @ 0V, 1MHz | Paquete de dispositivos del proveedor: | El DO-35 | Tiempo de recuperación inverso (trr): | 4 años | El Sr.: | En el caso de las | Tecnología: | Estándar | Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -55 °C ~ 175 °C | Envase / estuche: | Se aplican las siguientes medidas: | La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): | Las demás: | Corriente - promedio rectificado (Io): | 200 mA | Velocidad: | Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad | Número del producto de base: | 1N916 | 
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | 
| estado del producto: | Actividad | 
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 5 μA @ 75 V | 
| Tipo de montaje: | Orificio pasante | 
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1 V @ 10 mA | 
| Paquete: | Las demás | 
| Series: | - | 
| Capacidad @ Vr, F: | 2pF @ 0V, 1MHz | 
| Paquete de dispositivos del proveedor: | El DO-35 | 
| Tiempo de recuperación inverso (trr): | 4 años | 
| El Sr.: | En el caso de las | 
| Tecnología: | Estándar | 
| Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -55 °C ~ 175 °C | 
| Envase / estuche: | Se aplican las siguientes medidas: | 
| La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): | Las demás: | 
| Corriente - promedio rectificado (Io): | 200 mA | 
| Velocidad: | Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad | 
| Número del producto de base: | 1N916 |