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El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.
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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Descatalogado en Digi-Key
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
Se aplicará el método de ensayo.
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1,8 V @ 50 A
Paquete:
El tubo
Series:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Configuración del diodo:
2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-227
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:
El SOT-227-4, miniBLOC
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
GC2X100
Corriente - fuga inversa @ Vr:
20 µA a 650 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Descatalogado en Digi-Key
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
Se aplicará el método de ensayo.
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1,8 V @ 50 A
Paquete:
El tubo
Series:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Configuración del diodo:
2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-227
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:
El SOT-227-4, miniBLOC
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
GC2X100
Corriente - fuga inversa @ Vr:
20 µA a 650 V
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.
Diodo 2 independiente 650 V 209A (DC) Montado en el chasis SOT-227-4, miniBLOC

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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