Detalles del producto
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Descripción: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M. Las emisiones de gases de efecto invernadero y de gas de efecto in
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Arrays de diodos |
estado del producto: |
No está disponible |
Corriente media rectificada (Io) (por diodo): |
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente: |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-55 °C ~ 175 °C |
Paquete: |
El tubo |
Series: |
SiC Schottky MPSTM y sus componentes |
Configuración del diodo: |
1 Cátodo común de pareja |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
TO-247-3 |
El Sr.: |
Semiconductor GeneSiC |
Tecnología: |
Sic (carburo de silicio) Schottky |
Envase / estuche: |
TO-247-3 |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
650 V |
Velocidad: |
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io) |
Número del producto de base: |
GE2X10 |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Arrays de diodos |
estado del producto: |
No está disponible |
Corriente media rectificada (Io) (por diodo): |
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente: |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-55 °C ~ 175 °C |
Paquete: |
El tubo |
Series: |
SiC Schottky MPSTM y sus componentes |
Configuración del diodo: |
1 Cátodo común de pareja |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
TO-247-3 |
El Sr.: |
Semiconductor GeneSiC |
Tecnología: |
Sic (carburo de silicio) Schottky |
Envase / estuche: |
TO-247-3 |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
650 V |
Velocidad: |
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io) |
Número del producto de base: |
GE2X10 |