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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
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Descripción: Se aplicará el método de ensayo de las partidas de la matriz de la matriz.

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
12pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-204AL (DO-41)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
200 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-50 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N4935
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
12pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-204AL (DO-41)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
200 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-50 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N4935
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
Diodo 200 V 1A a través del agujero DO-204AL (DO-41)

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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