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El número de unidades de producción será el siguiente:
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Descripción: MATRIZ DE DIODOS DE PROPÓSITO GENERAL

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
No está disponible
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 50 V
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
975 mV @ 16 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220AC
Tiempo de recuperación inverso (trr):
35 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
El FESE16
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
No está disponible
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 50 V
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
975 mV @ 16 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tiempo de recuperación inverso (trr):
35 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
El FESE16
El número de unidades de producción será el siguiente:
Diodo de 50 V a través del agujero TO-220-2

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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