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El contenido de nitrógeno en el contenido de nitrógeno en el contenido de nitrato
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Detalles del producto

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
3 μA @ 200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
950 mV @ 3 A
Paquete:
Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-201AD
Tiempo de recuperación inverso (trr):
35 ns
El Sr.:
STMicroelectrónica
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C (máximo)
Envase / estuche:
DO-201AD, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
El contenido de nitrógeno en el contenido de nitrógeno en el contenido de nitrato
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
3 μA @ 200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
950 mV @ 3 A
Paquete:
Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-201AD
Tiempo de recuperación inverso (trr):
35 ns
El Sr.:
STMicroelectrónica
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C (máximo)
Envase / estuche:
DO-201AD, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
El contenido de nitrógeno en el contenido de nitrógeno en el contenido de nitrato
El contenido de nitrógeno en el contenido de nitrógeno en el contenido de nitrato
Diodo 200 V 3A a través del agujero DO-201AD

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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