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F1T5GH
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: DIODO GEN PURP 600V 1A TS-1

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
ts-1
Tiempo de recuperación inverso (trr):
250 ns
El Sr.:
Taiwán Semiconductor Corporation
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
T-18, Axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
F1T5
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
ts-1
Tiempo de recuperación inverso (trr):
250 ns
El Sr.:
Taiwán Semiconductor Corporation
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
T-18, Axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
F1T5
F1T5GH
Diodo 600 V 1A a través del agujero TS-1

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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