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Descripción: DIODO GEN PURP 200V 1A DO213AB

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	10 μA @ 200 V	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.1 V @ 1 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	El superectificador®	Capacidad @ Vr, F:	8pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	DO-213AB	El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:	Estándar	Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	Se utilizará para la fabricación de productos para la fabricación de vidrio.	La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	1a	Velocidad:	La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	BYM10

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	10 μA @ 200 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.1 V @ 1 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	El superectificador®
Capacidad @ Vr, F:	8pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	DO-213AB
El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	Se utilizará para la fabricación de productos para la fabricación de vidrio.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	1a
Velocidad:	La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	BYM10

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Soporte superficial DO-213AB del diodo 200 V 1A

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