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Descripción: DIODO SIL CARBIDE 650V 8A DPAK

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Descripción de producto

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	40 μA @ 650 V	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.7 V @ 8 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	260 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	DPAK	Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Semiconductores de WeEn	Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	175°C	Envase / estuche:	TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V	Corriente - promedio rectificado (Io):	8A
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)	Número del producto de base:	Se trata de la WNSC2

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	40 μA @ 650 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.7 V @ 8 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	260 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	DPAK
Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Semiconductores de WeEn
Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	175°C
Envase / estuche:	TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	8A
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:	Se trata de la WNSC2