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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Detalles del producto

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Descripción: DIODO GEN PURP 75V 250MA SOD80

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 75 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 10 mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOD-80
Tiempo de recuperación inverso (trr):
4 años
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 200 °C
Envase / estuche:
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
250 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 75 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 10 mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOD-80
Tiempo de recuperación inverso (trr):
4 años
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 200 °C
Envase / estuche:
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
250 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Diodo 75 V 250 mA montado en la superficie SOD-80