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Las condiciones de las condiciones de ensayo se determinarán en función de las condiciones de ensayo.

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Descripción de producto

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	5 μA @ 100 V	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.3 V @ 1 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Series:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Capacidad @ Vr, F:	10pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	DO-214AC (SMA)	Tiempo de recuperación inverso (trr):	150 ns
El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos	Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 150 °C	Envase / estuche:	DO-214AC, SMA
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:	Corriente - promedio rectificado (Io):	1a
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)	Número del producto de base:	RS1B

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	5 μA @ 100 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.3 V @ 1 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Series:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:	10pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	DO-214AC (SMA)
Tiempo de recuperación inverso (trr):	150 ns
El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:	DO-214AC, SMA
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	1a
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	RS1B