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Las condiciones de las pruebas de ensayo

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Descripción: DIODO AVAL 800V 1.5A DO219AB

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.15 V @ 1,5 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
8.8 pF a 4 V, 1 MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el método siguiente:
Tiempo de recuperación inverso (trr):
1,3 µs
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Avalancha
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-219AB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.5A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.15 V @ 1,5 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
8.8 pF a 4 V, 1 MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el método siguiente:
Tiempo de recuperación inverso (trr):
1,3 µs
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Avalancha
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-219AB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.5A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Las condiciones de las pruebas de ensayo
Diodo de 800 V 1.5A montado en la superficie DO-219AB (SMF)