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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.

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Descripción: DIODO GEN PURP 3A DO201AD

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	5 μA @ 1000 V	Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1 V @ 3 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	25pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	DO-201AD	El Sr.:	Taiwán Semiconductor Corporation
Tecnología:	Estándar	Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:	DO-201AD, axial	La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	3A	Velocidad:	La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	1N5408

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	5 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1 V @ 3 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	25pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	DO-201AD
El Sr.:	Taiwán Semiconductor Corporation
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:	DO-201AD, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	3A
Velocidad:	La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	1N5408