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1N6480-E3/97
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: DIODO GEN PURP 200V 1A DO213AB

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 200 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
El superectificador®
Capacidad @ Vr, F:
8pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-213AB
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se utilizará para la fabricación de productos para la fabricación de vidrio.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6480
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 200 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
El superectificador®
Capacidad @ Vr, F:
8pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-213AB
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se utilizará para la fabricación de productos para la fabricación de vidrio.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6480
1N6480-E3/97
Soporte superficial DO-213AB del diodo 200 V 1A

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

32 componentes electrónicos mordidos del OEM del microcontrolador,

ST mordido 32 ICS del microcontrolador

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