Detalles del producto
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Descripción: Diodo de generación de energía PURP 600V 3.2A SMPD
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
20 μA @ 600 V |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.15 V @ 12 A |
Paquete: |
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel® |
Series: |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Capacidad @ Vr, F: |
90pF @ 4V, 1MHz |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
SMPD |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
3 μs |
El Sr.: |
Vishay General Semiconductor - División de diodos |
Tecnología: |
Estándar |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-55 °C ~ 175 °C |
Envase / estuche: |
TO-263-3, D2Pak (2 Lideras + Tab) Variante |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
Las demás: |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
3.2A |
Velocidad: |
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
20 μA @ 600 V |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.15 V @ 12 A |
Paquete: |
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel® |
Series: |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Capacidad @ Vr, F: |
90pF @ 4V, 1MHz |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
SMPD |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
3 μs |
El Sr.: |
Vishay General Semiconductor - División de diodos |
Tecnología: |
Estándar |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-55 °C ~ 175 °C |
Envase / estuche: |
TO-263-3, D2Pak (2 Lideras + Tab) Variante |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
Las demás: |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
3.2A |
Velocidad: |
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io) |