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1N5408GH
1N5408GH

1N5408GH

Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: DIODO GEN PURP 3A DO201AD

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
25pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-201AD
El Sr.:
Taiwán Semiconductor Corporation
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-201AD, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5408
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
25pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-201AD
El Sr.:
Taiwán Semiconductor Corporation
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-201AD, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5408
1N5408GH
Diodo 1000 V 3A a través del agujero DO-201AD

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

32 componentes electrónicos mordidos del OEM del microcontrolador,

ST mordido 32 ICS del microcontrolador

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