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Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.
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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
25 μA @ 650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.5 V @ 4 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
175 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220AC
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
25 μA @ 650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.5 V @ 4 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
175 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
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Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
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-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.
Diodo 650 V 4A a través del agujero TO-220AC

Tags:

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