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Descripción: Se utilizará el diodo genético PURP 150V 2A DO220AA.

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	1 μA @ 150 V	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	980 mV @ 2 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Series:	eSMP®	Capacidad @ Vr, F:	25pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se incluyen los siguientes:	Tiempo de recuperación inverso (trr):	25 ns
El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos	Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C	Envase / estuche:	DO-220AA
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:	Corriente - promedio rectificado (Io):	2A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)	Número del producto de base:	Las condiciones de trabajo

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	1 μA @ 150 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	980 mV @ 2 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Series:	eSMP®
Capacidad @ Vr, F:	25pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se incluyen los siguientes:
Tiempo de recuperación inverso (trr):	25 ns
El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	DO-220AA
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	2A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	Las condiciones de trabajo

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Diodo de 150 V 2A montado en la superficie DO-220AA (SMP)

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