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Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I del presente Reglamento.

Detalles del producto

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Descripción: Diodo de carbono silílico 1.2KV 61A TO247-2

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
2250 pF @ 1V, 100 kHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247-2
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
En el caso de las
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:
TO-247-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
Sección 61A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
FFSH40120: las condiciones de los productos
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
2250 pF @ 1V, 100 kHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247-2
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
En el caso de las
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:
TO-247-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
Sección 61A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
FFSH40120: las condiciones de los productos
Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I del presente Reglamento.
Diodo 1200 V 61A a través del agujero TO-247-2