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MNS1N6627US/TR
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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
2 μA @ 440 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.35 V @ 2 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
E-MELF
Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
SQ-MELF, B
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Cubiertas
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.75A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
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estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
2 μA @ 440 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.35 V @ 2 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
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Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
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Temperatura de funcionamiento - Enlace:
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Envase / estuche:
SQ-MELF, B
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Cubiertas
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.75A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
MNS1N6627US/TR
Diodo 440 V 1.75A Montado en la superficie E-MELF

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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