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Se aplicará el método de ensayo.
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: DIODO GEN PURP 1KV 1.6A DO214AB

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
940 mV @ 2,5 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
40pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-214AB (SMC)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2.5 μs
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-214AB, SMC
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.6A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
S5M
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
940 mV @ 2,5 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
40pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-214AB (SMC)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2.5 μs
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-214AB, SMC
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.6A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
S5M
Se aplicará el método de ensayo.
Diodo de 1000 V 1.6A montado en la superficie DO-214AB (SMC)

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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