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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
2 V @ 500 mA
Paquete:
Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
200 ns
El Sr.:
Sanken Electric EE.UU. Inc.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-40 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
500 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Se trata de:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
2 V @ 500 mA
Paquete:
Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
200 ns
El Sr.:
Sanken Electric EE.UU. Inc.
Tecnología:
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Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-40 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
500 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Se trata de:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Diodo 800 V 500 mA a través del eje del agujero

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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