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Los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad.

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Descripción: DIODO SIL CARBIDE 650V 8A TO220F

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Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	La última vez que compré
Corriente - fuga inversa @ Vr:	Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán de acuerdo con el método siguiente:	Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.7 V @ 8 A	Paquete:	El tubo
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	260 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220F	Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Semiconductores de WeEn	Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	175°C (máximo)	Envase / estuche:	TO-220-2 Envase completo, comprimido aislado
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V	Corriente - promedio rectificado (Io):	8A
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)	Número del producto de base:	NXPSC

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	La última vez que compré
Corriente - fuga inversa @ Vr:	Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán de acuerdo con el método siguiente:
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.7 V @ 8 A
Paquete:	El tubo
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	260 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220F
Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Semiconductores de WeEn
Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	175°C (máximo)
Envase / estuche:	TO-220-2 Envase completo, comprimido aislado
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	8A
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:	NXPSC

Los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad.

Diodo 650 V 8A a través del agujero TO-220F

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