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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	La última vez que compré
Corriente - fuga inversa @ Vr:	250 µA @ 650 V	Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1,7 V @ 10 A	Paquete:	Las demás
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220F	Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Semiconductores de WeEn	Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	175°C (máximo)	Envase / estuche:	TO-220-2 Envase completo, comprimido aislado
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V	Corriente - promedio rectificado (Io):	10A
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)	Número del producto de base:	NXPSC

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	La última vez que compré
Corriente - fuga inversa @ Vr:	250 µA @ 650 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1,7 V @ 10 A
Paquete:	Las demás
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220F
Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Semiconductores de WeEn
Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	175°C (máximo)
Envase / estuche:	TO-220-2 Envase completo, comprimido aislado
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	10A
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:	NXPSC

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Diodo 650 V 10A a través del agujero TO-220F

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