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SIC20120PTA-BP, en el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones

Detalles del producto

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Descripción: Diodo de carbono de silício 1.2KV 10A TO247-3

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
2 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
750 pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247-3
El Sr.:
Micro Commercial Co.
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-247-3
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
10A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
SIC20120
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
2 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
750 pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247-3
El Sr.:
Micro Commercial Co.
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-247-3
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
10A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
SIC20120
SIC20120PTA-BP, en el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones
Diodo 1200 V 10A a través del agujero TO-247-3