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S4PBHM3_A/H
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Descripción: El número de unidades de producción de las que se trate se determinará en función de las condiciones

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No está disponible
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 4 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Automotriz, AEC-Q101, eSMP®
Capacidad @ Vr, F:
30pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-277A (SMPC)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2.5 μs
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-277, 3-PowerDFN
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
S4P
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No está disponible
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 4 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Automotriz, AEC-Q101, eSMP®
Capacidad @ Vr, F:
30pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-277A (SMPC)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2.5 μs
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-277, 3-PowerDFN
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
S4P
S4PBHM3_A/H
Diodo 100 V 4A montado en la superficie TO-277A (SMPC)

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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