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UF1010G_R2_00001
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UF1010G_R2_00001

Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo genético 1KV 1A DO41

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
17pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-41
Tiempo de recuperación inverso (trr):
100 ns
El Sr.:
Panjit Internacional Inc.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
UF1010 y sus derivados
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
17pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-41
Tiempo de recuperación inverso (trr):
100 ns
El Sr.:
Panjit Internacional Inc.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
UF1010 y sus derivados
UF1010G_R2_00001
Diodo 1000 V 1A a través del agujero DO-41

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

32 componentes electrónicos mordidos del OEM del microcontrolador,

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