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Se aplicará el método de ensayo de los datos de los datos de los Estados miembros.
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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 200 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
980 mV @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
S-FLAT (1.6x3.5)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
35 ns
El Sr.:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-40 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
SOD-123F
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 200 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
980 mV @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
S-FLAT (1.6x3.5)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
35 ns
El Sr.:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-40 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
SOD-123F
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se aplicará el método de ensayo de los datos de los datos de los Estados miembros.
Diodo 200 V 1A montado en superficie S-FLAT (1.6x3.5)

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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