Detalles del producto
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Descripción: Diodo de generación de energía 200V 1A axial
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
10 μA @ 200 V |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
980 mV @ 1 A |
Paquete: |
Corte la cinta (los CT)
Cinta y caja (TB) |
Series: |
- |
Capacidad @ Vr, F: |
- |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
- |
El Sr.: |
Sanken Electric EE.UU. Inc. |
Tecnología: |
Estándar |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-40 °C ~ 150 °C |
Envase / estuche: |
el eje |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
Las demás: |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
1a |
Velocidad: |
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Número del producto de base: |
El número de la |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
10 μA @ 200 V |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
980 mV @ 1 A |
Paquete: |
Corte la cinta (los CT)
Cinta y caja (TB) |
Series: |
- |
Capacidad @ Vr, F: |
- |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
- |
El Sr.: |
Sanken Electric EE.UU. Inc. |
Tecnología: |
Estándar |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-40 °C ~ 150 °C |
Envase / estuche: |
el eje |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
Las demás: |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
1a |
Velocidad: |
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Número del producto de base: |
El número de la |