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Las condiciones de las pruebas de ensayo deberán ser las siguientes:

Detalles del producto

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Descripción: DIODO AVALANCHA 600V 2.1A TO277A

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Automotriz, AEC-Q101, eSMP®
Capacidad @ Vr, F:
37pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-277A (SMPC)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
1,2 µs
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Avalancha
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-277, 3-PowerDFN
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2.1A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Las condiciones de los contratos
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Automotriz, AEC-Q101, eSMP®
Capacidad @ Vr, F:
37pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-277A (SMPC)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
1,2 µs
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Avalancha
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-277, 3-PowerDFN
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2.1A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Las condiciones de los contratos
Las condiciones de las pruebas de ensayo deberán ser las siguientes:
Diodo de 600 V 2.1A montado en la superficie TO-277A (SMPC)