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Se aplicará el procedimiento de ensayo.

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Descripción: DIODO SCHOTTKY 120V 8A 5DFN

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
La última vez que compré
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 120 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
765 mV @ 8 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
El Sr.:
En el caso de las
Tecnología:
¿ Qué es esto?
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
8-PowerTDFN, 5 ventajas
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
120 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
8A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
La última vez que compré
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 120 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
765 mV @ 8 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
El Sr.:
En el caso de las
Tecnología:
¿ Qué es esto?
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
8-PowerTDFN, 5 ventajas
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
120 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
8A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
Diodo de 120 V 8A montado en la superficie 5-DFN (5x6) (8-SOFL)