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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

MUR120G

Detalles del producto

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Descripción: Diodo de generación de energía 200V 1A axial

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
2 μA @ 200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
875 mV @ 1 A
Paquete:
Las demás
Series:
SWITCHMODE™
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
35 ns
El Sr.:
En el caso de las
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MUR120
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
2 μA @ 200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
875 mV @ 1 A
Paquete:
Las demás
Series:
SWITCHMODE™
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
35 ns
El Sr.:
En el caso de las
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MUR120
MUR120G
Diodo 200 V 1A a través del eje del agujero