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Descripción: Diodo de generación de energía 6.5KV 1100A

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
150 mA a 6500 V
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
5.6 V @ 2500 A
Paquete:
Envases
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
-
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
0 °C ~ 140 °C
Envase / estuche:
DO-200AE
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1100A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
D1131SH65
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
150 mA a 6500 V
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
5.6 V @ 2500 A
Paquete:
Envases
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
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0 °C ~ 140 °C
Envase / estuche:
DO-200AE
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1100A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
D1131SH65
D1131SH65TXPSA1
Diodo 6500 V 1100A montado en el chasis

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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