Detalles del producto
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Descripción: Diodo SIL CARB 650V 2A TO220-2L
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
20 µA a 650 V |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.6 V @ 2 A |
Paquete: |
El tubo |
Series: |
- |
Capacidad @ Vr, F: |
8.7 pF a 650 V, 1 MHz |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2 |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
0 años |
El Sr.: |
Toshiba Semiconductor y almacenamiento |
Tecnología: |
Sic (carburo de silicio) Schottky |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
175°C (máximo) |
Envase / estuche: |
TO-220-2 |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
650 V |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
2A |
Velocidad: |
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io) |
Número del producto de base: |
TRS2E65: las condiciones de los productos |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
20 µA a 650 V |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.6 V @ 2 A |
Paquete: |
El tubo |
Series: |
- |
Capacidad @ Vr, F: |
8.7 pF a 650 V, 1 MHz |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2 |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
0 años |
El Sr.: |
Toshiba Semiconductor y almacenamiento |
Tecnología: |
Sic (carburo de silicio) Schottky |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
175°C (máximo) |
Envase / estuche: |
TO-220-2 |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
650 V |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
2A |
Velocidad: |
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io) |
Número del producto de base: |
TRS2E65: las condiciones de los productos |