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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N5554US

Detalles del producto

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Descripción: Se trata de un diodo genético de 1KV 3A B SQ-MELF

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 9 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
B, SQ-MELF
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2 μs
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
SQ-MELF, B
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5554
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 9 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
B, SQ-MELF
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2 μs
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
SQ-MELF, B
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5554
1N5554US
Diodo de 1000 V 3A montado en la superficie B, SQ-MELF