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Se aplicará el método de ensayo.
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: DIODO GEN PURP 600V 20A TO220NFM

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
2.8 V a 20 A
Paquete:
El tubo
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220NFM
Tiempo de recuperación inverso (trr):
35 ns
El Sr.:
Semiconductor de Rohm
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
150°C (máximo)
Envase / estuche:
Paquete completo TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
20A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
La RFUH20
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
2.8 V a 20 A
Paquete:
El tubo
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220NFM
Tiempo de recuperación inverso (trr):
35 ns
El Sr.:
Semiconductor de Rohm
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
150°C (máximo)
Envase / estuche:
Paquete completo TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
20A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
La RFUH20
Se aplicará el método de ensayo.
Diodo 600 V 20A a través del orificio TO-220NFM

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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