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Descripción: Se trata de un sistema de control de la energía.

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	40 μA @ 650 V	Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.7 V @ 8 A	Paquete:	El tubo
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220-2	Tiempo de recuperación inverso (trr):	80 ns
El Sr.:	Tecnologías Infineon	Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-40°C ~ 175°C	Envase / estuche:	TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V	Corriente - promedio rectificado (Io):	8A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)	Número del producto de base:	IDP08E65

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	40 μA @ 650 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.7 V @ 8 A
Paquete:	El tubo
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220-2
Tiempo de recuperación inverso (trr):	80 ns
El Sr.:	Tecnologías Infineon
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-40°C ~ 175°C
Envase / estuche:	TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	8A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	IDP08E65

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Diodo 650 V 8A a través del agujero TO-220-2

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