Detalles del producto
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Descripción: Se trata de un sistema de transmisión de energía que se utiliza para la transmisión de energía a tra
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
60 μA @ 650 V |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.8 V @ 4 A |
Paquete: |
El tubo |
Series: |
Z-Rec® |
Capacidad @ Vr, F: |
251pF a 0V, 1MHz |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
TO-252-2 |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
0 años |
El Sr.: |
Wolfspeed, Inc. |
Tecnología: |
Sic (carburo de silicio) Schottky |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-55 °C ~ 175 °C |
Envase / estuche: |
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63 |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
650 V |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
13.5A |
Velocidad: |
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io) |
Número del producto de base: |
C3D04065 |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
60 μA @ 650 V |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.8 V @ 4 A |
Paquete: |
El tubo |
Series: |
Z-Rec® |
Capacidad @ Vr, F: |
251pF a 0V, 1MHz |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
TO-252-2 |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
0 años |
El Sr.: |
Wolfspeed, Inc. |
Tecnología: |
Sic (carburo de silicio) Schottky |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-55 °C ~ 175 °C |
Envase / estuche: |
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63 |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
650 V |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
13.5A |
Velocidad: |
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io) |
Número del producto de base: |
C3D04065 |