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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura de la atmósf
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 10 mA
Paquete:
El bolso
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-35
Tiempo de recuperación inverso (trr):
4 años
El Sr.:
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C (máximo)
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
500 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura de la atmósf
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 10 mA
Paquete:
El bolso
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tiempo de recuperación inverso (trr):
4 años
El Sr.:
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C (máximo)
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
500 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
1N4149
Diodo 100 V 500 mA a través del agujero DO-35

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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