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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Description: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
5 µA @ 75 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1 V @ 100 mA
Package:
Bag
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Supplier Device Package:
DO-35
Reverse Recovery Time (trr):
4 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 175°C
Package / Case:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
100 V
Current - Average Rectified (Io):
200mA
Speed:
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
5 µA @ 75 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1 V @ 100 mA
Package:
Bag
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
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DO-35
Reverse Recovery Time (trr):
4 ns
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Package / Case:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
100 V
Current - Average Rectified (Io):
200mA
Speed:
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
1N4448
Diodo 100 V 200 mA a través del agujero DO-35

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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