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Descripción: DIODO GEN PURP 800V 1.5A DO15

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1,5 A
Paquete:
El bolso
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
25pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-15
El Sr.:
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-204AC, DO-15, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.5A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1,5 A
Paquete:
El bolso
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
25pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tecnología:
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Temperatura de funcionamiento - Enlace:
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Envase / estuche:
DO-204AC, DO-15, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.5A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Las demás:
Diodo 800 V 1.5A a través del agujero DO-15

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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