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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

EGP20B

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Descripción: DIODO GEN PURP 100V 2A DO15

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
950 mV @ 2 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
70pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-15
Tiempo de recuperación inverso (trr):
50 ns
El Sr.:
En el caso de las
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-204AC, DO-15, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
El objetivo es:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
950 mV @ 2 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
70pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-15
Tiempo de recuperación inverso (trr):
50 ns
El Sr.:
En el caso de las
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-204AC, DO-15, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
El objetivo es:
EGP20B
Diodo de 100 V 2A a través del agujero DO-15