Detalles del producto
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Descripción: Diodo de generación de energía PURP 400V 1A
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
1 μA @ 400 V |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.2 V @ 1 A |
Paquete: |
El bolso |
Series: |
- |
Capacidad @ Vr, F: |
- |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
el eje |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
2 μs |
El Sr.: |
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios |
Tecnología: |
Estándar |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
- |
Envase / estuche: |
el eje |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
Las demás: |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
1a |
Velocidad: |
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
1 μA @ 400 V |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.2 V @ 1 A |
Paquete: |
El bolso |
Series: |
- |
Capacidad @ Vr, F: |
- |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
el eje |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
2 μs |
El Sr.: |
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios |
Tecnología: |
Estándar |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
- |
Envase / estuche: |
el eje |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
Las demás: |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
1a |
Velocidad: |
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io) |