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Descripción: Se aplicará el método de ensayo de las partículas de aluminio.

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
500 μA @ 600 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 9.4 A
Paquete:
El bolso
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-27
El Sr.:
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-201AA, DO-27, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
500 μA @ 600 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 9.4 A
Paquete:
El bolso
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-27
El Sr.:
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-201AA, DO-27, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
El número de unidades de producción
Diodo 600 V 3A a través del agujero DO-27

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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