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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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Detalles del producto

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Descripción: El diodo genético PURP 800V 6A axial

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
950 mV @ 6 A
Paquete:
El bolso
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
150 pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2.5 μs
El Sr.:
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
6A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
950 mV @ 6 A
Paquete:
El bolso
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
150 pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2.5 μs
El Sr.:
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
6A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
No incluidos en la lista
Diodo 800 V 6A a través del eje del agujero