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Detalles del producto

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Descripción: Diodo de generación de energía 1KV 2A AXIAL

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
2.2 V @ 2 A
Paquete:
Las demás
Series:
SWITCHMODE™
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
100 ns
El Sr.:
En el caso de las
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MUR2100
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
2.2 V @ 2 A
Paquete:
Las demás
Series:
SWITCHMODE™
Capacidad @ Vr, F:
-
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Estándar
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La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MUR2100
MUR2100EG, incluidos los siguientes:
Diodo 1000 V 2A a través del eje del agujero

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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