 
          Detalles del producto
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Descripción: Diodo SIL CARB 650V 11.5A TO247
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | estado del producto: | Actividad | Corriente - fuga inversa @ Vr: | 40 μA @ 650 V | Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -55 °C ~ 175 °C | Tipo de montaje: | Orificio pasante | Paquete: | El tubo | Series: | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. | Capacidad @ Vr, F: | 421 pF @ 1V, 100 kHz | Paquete de dispositivos del proveedor: | TO-247-2 | Tiempo de recuperación inverso (trr): | 0 años | El Sr.: | En el caso de las | Tecnología: | Sic (carburo de silicio) Schottky | Envase / estuche: | TO-247-2 | La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): | 650 V | Corriente - promedio rectificado (Io): | 11.5A | Velocidad: | No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io) | Número del producto de base: | FFSH1065: el número de personas que deben ser identificadas. | 
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | 
| estado del producto: | Actividad | 
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 40 μA @ 650 V | 
| Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -55 °C ~ 175 °C | 
| Tipo de montaje: | Orificio pasante | 
| Paquete: | El tubo | 
| Series: | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. | 
| Capacidad @ Vr, F: | 421 pF @ 1V, 100 kHz | 
| Paquete de dispositivos del proveedor: | TO-247-2 | 
| Tiempo de recuperación inverso (trr): | 0 años | 
| El Sr.: | En el caso de las | 
| Tecnología: | Sic (carburo de silicio) Schottky | 
| Envase / estuche: | TO-247-2 | 
| La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): | 650 V | 
| Corriente - promedio rectificado (Io): | 11.5A | 
| Velocidad: | No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io) | 
| Número del producto de base: | FFSH1065: el número de personas que deben ser identificadas. |