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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.

Detalles del producto

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Descripción: Se trata de un sistema de control de la energía.

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 75 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
720 mV @ 5 mA
Paquete:
Cintas y cajas (TB)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-35
Tiempo de recuperación inverso (trr):
4 años
El Sr.:
Taiwán Semiconductor Corporation
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
150 mA
Velocidad:
Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
Número del producto de base:
1N914
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 75 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
720 mV @ 5 mA
Paquete:
Cintas y cajas (TB)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-35
Tiempo de recuperación inverso (trr):
4 años
El Sr.:
Taiwán Semiconductor Corporation
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
150 mA
Velocidad:
Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
Número del producto de base:
1N914
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.
Diodo 100 V 150 mA a través del agujero DO-35