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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Detalles del producto

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Descripción: El diodo genético PURP 800V 1A DO41

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 800 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 1 A
Paquete:
Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
12pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-41
Tiempo de recuperación inverso (trr):
500 ns
El Sr.:
Panjit Internacional Inc.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
PG108
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 800 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 1 A
Paquete:
Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
12pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-41
Tiempo de recuperación inverso (trr):
500 ns
El Sr.:
Panjit Internacional Inc.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
PG108
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Diodo 800 V 1A a través del agujero DO-41