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Descripción de producto

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:	Las emisiones de CO2 de las centrales eléctricas de los Estados miembros	Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	850 mV @ 1 A	Paquete:	Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	El DO-41	El Sr.:	Panjit Internacional Inc.
Tecnología:	¿ Qué es esto?	Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	Se aplican las siguientes medidas:	La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	1a	Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	MBR1H150

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:	Las emisiones de CO2 de las centrales eléctricas de los Estados miembros
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	850 mV @ 1 A
Paquete:	Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	El DO-41
El Sr.:	Panjit Internacional Inc.
Tecnología:	¿ Qué es esto?
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	1a
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	MBR1H150